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硅片抛光液配方技术研究抛光液成分分析及制备

发布时间: 2020-11-25 18:10 作者:   皇冠足彩

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  导读本文主要介绍了硅晶片的应用背景,分类,参考配方等,本文中的配方经过修改,如果需要了解更详细,可咨询我们的相关技术人员。

  禾川化学致力于硅片抛光液成分分析,配方还原,研发外包服务,为硅片抛光液相关企业提供一整套配方技术解决方案。

  基于全球经济的快速发展,IC技术(Integrated circuit, 即集成电路)已经渗透到国防建设和国民经济发展的各个领域,成为世界第一大产业。IC 所用的材料主要是硅和***化镓等,全球90%以上IC 都采用硅片。随着半导体工业的飞速发展,一方面,为了增大芯片产量,降低单元制造成本,要求硅片的直径不断增大;另一方面,为了提高IC 的集成度,要求硅片的刻线宽度越来越细。半导体硅片抛光工艺是衔接材料与器件制备的边沿工艺,它极大地影响着材料和器件的成品率,并肩负消除前加工表面损伤沾污以及控制诱生二次缺陷和杂质的双重任务。在特定的抛光设备条件下, 硅片抛光效果取决于抛光剂及其抛光工艺技术。

  禾川化学技术团队具有丰富的分析研发经验,经过多年的技术积累,可以运用尖端的科学仪器、完善的标准图谱库、强大原材料库,彻底解决众多化工企业生产研发过程中遇到的难题,利用其八大服务优势,最终实现企业产品性能改进及新产品研发。

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  20世纪60年代中期前,半导体抛光还大都沿用机械抛光,如氧化镁、氧化锆、氧化铬等方法,得到的镜面表面损伤极其严重。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶胶-凝胶抛光后,以氢氧化钠为介质的碱性二氧化硅抛光技术就逐渐代替旧方法,国内外以二氧化硅溶胶为基础研究开发了品种繁多的抛光材料。

  随着电子产品表面质量要求的不断提高, 表面平坦化加工技术也在不断发展,基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG( spin-on-glass) 、低压CVD( chemical vapor deposit) 、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC艺中获得应用, 但均属局部平面化技术,其平坦化能力从几微米到几十微米不等, 不能满足特征尺寸在0. 35 μm 以下的全局平面化要求。

  1991 年IBM 首次将化学机械抛光技术( chemical mechanical polishing , 简称CMP)成功应用到64 Mb DRAM 的生产中, 之后各种逻辑电路和存储器以不同的发展规模走向CMP, CMP 将纳米粒子的研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来, 满足了特征尺寸在0. 35微米以下的全局平面化要求。CMP 可以引人注目地得到用其他任何CMP 可以引人注目地得到用其他任何平面化加工不能得到的低的表面形貌变化。目前, 化学机械抛光技术已成为几乎公认为惟一的全局平面化技术,逐渐用于大规模集成电路(LSI) 和超大规模集成电路(ULSI) ,可进一步提高硅片表面质量,减少表面缺陷。

  抛光液是CMP 的关键要素之一, 抛光液的性能直接影响抛光后表面的质量. 抛光液一般由超细固体粒子研磨剂( 如纳米SiO2、Al2O3 粒子等) 、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等组成, 固体粒子提供研磨作用, 化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。

  关于碱性SiO2的抛光机理,过去一般用化学及机械磨削理论来进行解释,也有人提出一个吸附效应的概念。

  反应是较容易进行的。同时, 抛光液的固体颗粒及衬垫与硅片磨擦起机械磨削作用, 而在硅片抛光中, 化学效应起了主要作用, 这种化学作用是在硅表面的原子和溶液的OH-之间的氧化还原作用引起的, 根据表面化学和固体物理晶格排列理论, 由于硅单晶表面处硅原子有规则排列的终止, 硅原子及其剩余的价键具有物理吸附和化学吸附两种力、其中物理吸附是指表面晶格系统分子与它周围分子之间引力作用, 而化学吸附则是由于表面硅原子电子转移的键合过程, 对它周围的分子或离子形成强大的化学键力, 并能生成组成不易确定的表面化合物。

  显然, 抛光Si表面的过程中, 这两种力将使抛光液中的由于化学反应而生成的氢气和硅酸盐紧紧地吸附在表面的硅原子上, 使进一步的化学反应难于进行, 而抛光液中的SiO2颗粒由压力和软衬垫作用和表面硅原子起到紧密的接触研磨、这样除了磨削机械作用外, SiO2胶团对这些吸附物也产生了一种反吸附(即解吸) 作用, 被解脱的吸附物随SiO2研磨运动拖走后, 化学反应才得以继续进行, 因此实际上抛光过程就是化学、磨削及吸附效应同时作用的过程。

  根据这种设想, 对于抛光液中的SiO2颗粒要满足两个要求:①足够大的颗粒度以保持较好的研磨作用;②要求其有最大的吸附能力。SiO2颗粒大, 磨削作用大, 但吸附力会降低, 所以运用这种观点也很好地解释了抛光速率和固体颗粒大小不是有严格地对应关系。

  在抛光工艺里, 影响抛光速率的因素有压力、PH 值、温度、抛光液浓度等等, 其中压力的影响几乎是直线硬度和硅单晶硬度相似(莫氏硬度均为7 ), 所以机械磨消作用较少, 使机械损伤大大减少。

  磨粒对抛光性能的影响研究较多. 关于磨粒粒径对抛光性能的影响, 研究结果还不统一。1996 年Michael等提出了CMP 加工中颗粒尺寸对抛光液抛光性能( 如抛光速率、微划痕数量)的重要性。随后Zhou等研究了在单晶硅晶片的抛光中, 纳米SiO2 粒径(10~140 nm) 对去除率的影响, 发现在试验条件下, 粒径80nm的SiO2 粒子去除率最高, 得到的表面质量最好,而Bielmann等对金属钨CMP 的研究却发现, 抛光后表面的局部粗糙度与Al2O3 磨粒的粒径间没有相关性, 而去除率则随颗粒减小反而增加。

  Mazaheri 等研究了CMP中磨粒的表面粗糙度对去除率的影响, 发现相同直径时, 表面不平磨粒的渗透深度比球形磨粒大, 但去除率比球形的小。

  Basim等研究发现, 随着大颗粒尺寸及浓度的增加, 抛光后氧化膜表面的缺陷增加, 并且抛光机理也发生相应变化, 因而为获得满意的抛光结果, 必须采取有效的方法去除抛光液中的大颗粒。

  采用透射电镜或扫面电镜对经不同抛光液处理的硅片样品进行观测, 以确定研磨液的粒形、粒貌和粒径大小对研磨性能的影响。用DLS 光散射仪表征多配抛光液的粒径。

  二硅化硅溶胶或凝胶抛光液的基本形式是由一个SiO2抛光剂和一个碱性组份水溶液组成。SiO2颗粒要求范围为10


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