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中微已制造出5纳米蚀刻机对中国半导体领域影响

发布时间: 2020-11-13 14:04 作者:   皇冠足彩

  早在2017年4月份从研制半导体设备的中微公司传来捷报,其掌门人尹志尧正式对外宣布已经攻克5纳米机的制造技术,一时在国产半导体行业激起千层波浪,而实力颇为强劲的国际商业机器公司IBM在两星期后才掌握5纳米刻蚀工艺。时间一转到去年年底,尹志尧先生在上海举办的一次投资论坛上指出,中微半导体研制进度是和台积电的路线保持一致。目前台积电在3纳米技术上已有一年多的技术积累,从侧面上可以反映中微在掌握5纳米技术后已经开始着手准备3纳米工艺。

  目前由于中微半导体研制的5纳米蚀刻机早已通过台积电的认证,那么在台积电生产5纳米级芯片时,生产线上的部分蚀刻机将会是中国制造。目前中微半导体已经向台积电的供应链提供5纳米蚀刻机设备,而从台积电的工艺路线图上看,在今年第三季度台积电将会使用全球最为先进的极紫外光刻机生产5纳米级芯片。批量生产如此高精度的芯片,EUV光刻机固然重要,但在芯片制造过程中的“刻蚀”同样不可或缺,而且所使用的蚀刻机也必须在精度上与芯片精度保持一致。

  在提及芯片的设计生产时,很多人会将芯片制造的重要设备光刻机和蚀刻机混淆,其实可以从芯片生产的具体过程来将两者区别。想要制成一枚小小的芯片,首先要从一片晶圆的制造开始。我们可以将芯片的生产过程总体分为六大步骤,分别是采用硅材料制成的晶棒、将晶棒进行切割成一片片的没有图形晶圆硅片、晶圆上涂光刻胶和利用掩膜印刻电路等光刻操作、利用化学物质在晶圆上进行刻蚀操作、注入特定离子给予晶体管特性进行掺杂、最终将晶圆切割成一片片芯片进行封装和测试。

  而在以上的光刻步骤和刻蚀步骤上就要用到光刻机和蚀刻机。由于在晶圆制成芯片的过程中,光刻和刻蚀等步骤是循环重复进行的,所以在芯片制造的投资中光刻机和蚀刻机分别占据25%、15%的投资份额,可见蚀刻机也是芯片制造设备的重中之重。刻蚀工艺主要分为等离子干法刻蚀和湿法刻蚀。其实在等离子刻蚀加工工艺上又有着三种类别,分别是难度最高的硅刻蚀、难度适中的介质刻蚀、加工工艺最简单的金属刻蚀。而中微半导体主要专攻介质刻蚀加工工艺,并且在刻蚀技术和设备上处于全球先进水平。

  中国在半导体和集成电路行业发展较晚,自2004年由60岁的尹志尧博士创立的中微半导体公司,在短短13年就攻克了5纳米加工工艺,一举达到国际先进水平,而这离公司最初定下20年赶超全球一流企业的目标整整提前了7年。而中微半导体的长处不仅在芯片刻蚀设备上,还在与光刻机、蚀刻机并肩的薄膜设备研制上走在了前列。如今由中微生产的MOCVD设备在全国的市场份额从零上升至70%,以往美国维科和德国爱思强两家企业垄断国内市场的局面被一举打破。

  中微刚创立之初就选择了蚀刻机作为专攻的方向,其创始人尹志尧在美国高科技产地硅谷闯荡多年,并在回国建立中微时带回了一批资历颇深的华裔科学家,其与15位半导体科学家联合成立了公司。这也是中微为何仅用4年就掌握10多纳米的蚀刻机技术。而且从那时起中微就陆续生产出65纳米到7纳米的蚀刻机设备,中国制造的蚀刻机与全球先进水平始终在同一标准上。如今日本、韩国等半导体强国总共40多条芯片生产线已经用上了中国蚀刻机,而中微打入台积电高端供应链始于其自主研发7纳米蚀刻机。

  在半导体芯片生产行业,高端蚀刻机的研制意义与光刻机同等重要,这种一台最高上千万的芯片生产设备,其加工精度可以达到一根发丝的万分之一,此次中国中微成功成为台积电5纳米芯片制造的设备供应商,侧面反映了国产半导体首次占据全球半导体龙头位置。目前全球规模庞大的集成电路市场已经超过3500亿美元,而中国在集成电路进口的各类产品设备中位居全球首位,中国半导体行业的发展不能被国外卡脖子,像中微、中芯国际等一大批半导体企业将成为国产半导体崛起的探路者。

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  3 GHz典型 PECL模式工作范围:V CC = 3.0 V至5.5 V,V EE = 0 V NECL模式工作范围:V CC = 0 V,V EE = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态 输入的安全钳位 Q输出打开或V EE 时输出默认...

  信息 MC10E / 100E116是一款带有射极跟随器输出的五阶差分线路接收器。对于要求带宽大于E116的应用,可能会对E416器件感兴趣。有源电流源加上MOSAIC III工艺的深度集电极特性可为接收器提供出色的共模噪声抑制。每个接收器都有一个专用的V 电源引线,提供最佳的对称性和稳定性。如果反相和非反相输入均为

  -2.5 V的相等电位,则接收器不会进入定义状态,而是正常差分放大器方式的电流共享,在高电平和低电平之间产生输出电压电平,或者器件甚至可能振荡。 V 引脚,内部产生的电压源,仅适用于此器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01 F电容去耦V 和VCC,并限制电流源或吸收至0.5 mA。不使用时,V 应保持打开状态。 100系列包含温度补偿。 500ps Max。传播延迟 V 电源输出 专用V 每个接收器的引脚 PECL模式工作范围:V = 4.2 V至5.7 V,V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V当V = -4.2 V至-5.7 V 输出Q 将在输入 内部输入下拉电阻时默认为低电平 符合或超过JEDEC规范EIA / JESD78 IC闩锁测试 ESD保护:...

  和特点 接收器输入引脚提供±15 kV ESD保护开关速率:400 Mbps(200 MHz)流通引脚配置简化印制电路板布线 ps(典型值) 差分偏移:100 ps(典型值) 传播延迟:2.7 ns(最大值)电源电压:3.3 V断电时具有高阻抗输出低功耗设计(待机功耗典型值为3 mW)可与现有的5 V LVDS驱动器配合使用接收小摆幅(典型值310 mV )差分输入信号电平支持开路、短路,以及终止输入故障安全 产品详情 ADN4668是一款四通道CMOS低压差分信号(LVDS)线 MHz)以上的数据速率及超低功耗。ADN4668具有流通引脚配置,可以轻松实现印制电路板布线以及输入信号与输出信号的分离。这款器件接收低压(典型值310 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/CMOS逻辑电平。ADN4668还提供高电平有效和低电平有效的启用/禁用输入(EN 和/EN),以控制全部的4个接收器。它们可禁用接收器,并将输出切换为高阻抗状态。这个高阻抗状态允许对一个或多个ADN4668的输出进行多路复用,以将待机功耗降低至3 mW(典型值)。ADN4668及与其配合使用的驱动器ADN4667,可为高速点对点数据传输提供全新的解决...

  和特点 输入引脚提供±15 kV ESD保护转换速率:400 Mbps (200 MHz)直通式引脚排列可简化PCB布局传播延迟:2.5 ns(最大值)3.3 V 电源关断时为高阻抗输出与现有5 V LVDS驱动器兼容接受小摆幅(典型值310 mV)差分信号电平支持开路、短路和端接输入故障安全功能阈值区间:0 V至−100 mV符合TIA/EIA-644 LVDS标准工业温度范围:−40°C至+85°C 产品详情 ADN4662是一款单通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线 MHz)以上的数据速率,功耗超低。它采用直通式引脚排列,便于PCB布局以及输入与输出信号分离。             该器件接受低压(典型值310 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/ CMOS逻辑电平。ADN4662及其配套驱动器ADN4661为高速点对点数据传输提供一种新的解决方案,可以代替射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。              应用点对点数据传输多分支总线时钟分配网络背板接收器 方框图...

  和特点 输出引脚提供±15 kV ESD(静电放电)保护开关速率:400 Mbps (200 MHz)流通引脚排列简化印制电路板(PCB)布线 ps(典型值)差分偏移:400 ps(最大值)传播延迟:1.7 ns(最大值)电源电压:3.3 V 欲了解更多信息,请参考数据手册 产品详情 ADN4667是一款四通道CMOS低压差分信号(LVDS)线 Mbps以上的数据速率(200MHz)和超低功耗。它具有流通引脚,可以轻松实现印制电路板布局以及输入与输出信号的分离。 ADN4667接收低压TTL/CMOS逻辑信号,并将其转换为一个差分电流输出信号,来驱动双绞线等传输媒介,输出电流的典型值为±3.1 mA。传输信号在接收端的终端电阻上产生典型值为±310 mV的差分电压。然后再通过ADN4668等LVDS接收器转换为TTL/CMOS逻辑电平。ADN4667还提供高电平和低电平有效的使能/禁用输入(EN和/EN)。这些输入控制全部的4个驱动器,并在禁用状态关闭电流输出,以将待机功耗降低至10 mW(典型值)。ADN4667及与其配合使用的LVDS接收器ADN4668,可为高速点对点数据传输提供全新的解决方案,并为发射极耦合逻辑(ECL)或正电压射极耦合逻...

  和特点 输出引脚提供±15 kV ESD保护转换速率:400 Mbps (200 MHz)直通式引脚排列可简化PCB布局通道间偏斜:100 ps(典型值)传播延迟:2.5 ns(最大值)3.3 V电源关断时为高阻抗输出低功耗:3 mW(静态典型值)与现有5 V LVDS驱动器兼容接受小摆幅(典型值310 mV)差分信号电平支持开路、短路和端接输入故障安全功能阈值区间:0 V至−100 mV 产品详情 ADN4664是一款双通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线 MHz)以上的数据速率,功耗超低。它采用直通式引脚排列,便于PCB布局以及输入与输出信号分离。该器件接受低压(典型值310 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/ CMOS逻辑电平。              ADN4664及其配套LVDS驱动器ADN4663为高速点对点数据传输提供一种新的解决方案,可以代替射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。          应用点对点数据传输多分支总线时钟分配网络背板接收器 方框图...

  和特点 输出引脚提供±15 kV ESD保护转换速率:400 Mbps (200 MHz)差分偏斜:100 ps(典型值)差分偏斜:400 ps(最大值)传播延迟:2 ns(最大值)3.3 V电源差分信号:±350 mV低功耗:13 mW(典型值)与现有5 V LVDS接收器兼容关断时为高阻抗LVDS输出符合TIA/EIA-644 LVDS标准欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADN4665是一款四通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线 MHz)以上的数据速率,功耗超低。     该器件接受低压TTL/CMOS逻辑信号,并将其转换成典型值为±3.5 mA的差分电流输出,以便驱动双绞线电缆等传输介质。所传输的信号在接收端的端接电阻上产生典型值为±350 mV的差分电压,然后由LVDS接收器将其转换为TTL/CMOS逻辑电平。     ADN4665还提供高电平有效和低电平有效使能/禁用输入(EN和EN)。这些输入控制所有四个驱动器,并在禁用状态下关闭电流输出,将静态功耗降至典型值10 mW。ADN4665为高速点对点数据传输提供一种新的解决方案,可以代替射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。         应用背板...

  和特点 High Common-Mode RejectionDC: 100 dB typ60 Hz: 100 dB typ20 kHz: 70 dB typ40 kHz: 62 dB typ Low Distortion: 0.001% typ Fast Slew Rate: 9.5 V/µs typ Wide Bandwidth: 3 MHz typ Low Cost Complements SSM2142 Differential Line Driver产品详情 SSM2141是一款集成式差分放大器,用于接收平衡线路输入,适合要求高抗扰度和最佳共模抑制的音频应用。该器件的共模抑制(CMR)性能通常可以达到100 dB,而利用四个现有精密电阻的运算放大器实施方案,通常共模抑制只能达到40 dB,不能满足高性能音频的要求。SSM2141通过保持9.5 V/µs的高压摆率和高开环增益来实现低失真性能。在整个音频带宽内,其失线与平衡线互为补充。这些器件组合在一起可构成一个完全集成的解决方案,能够实现音频信号的等效变压器平衡,而不会有失真、电磁辐射(EMI)场和高成本等问题。SSM2141的其它应用包括信号求和、差分前置放大器和600 Ω低失真缓冲放大器。如需增益G = 1/2的类似性能器件,请参考SSM2143。 方框图...

  和特点 高共模抑制 DC: 90 dB(典型值) 60 Hz: 90 dB(典型值) 20 kHz: 85 dB(典型值) 超低总谐波失线 kHz) 快速压摆率: 10 V/ms(典型值) 宽带宽: 7 MHz(典型值,G = 1/2) 提供两个增益级: G = 1/2或2 低成本 产品详情 SSM2143是一款集成式差分放大器,用于接收平衡线路输入,适合要求对共模噪声有高抗扰度的音频应用。该器件通过对电阻进行激光调整,使之达到优于0.005%的精度,从而实现典型值为90 dB的共模抑制(CMR)。                                    该器件的其它特性包括10 V/µs的压摆率和宽带宽。在整个音频频段内,总谐波失线%,即使驱动低阻抗负载时也是如此。SSM2143输入级设计用于处理高达+28 dBu的输入信号(G = 1/2)。虽然该器件主要针对G = 1/2的应用,但通过反接+IN/-IN和SENSE/REFERENCE,也可以实现2倍增益。采用增益为1/2的配置时,SSM2143与平衡线可提供全集成式单位增益解决方案,能够在长电缆上驱动音频信号。如需增益G = 1的类似性能器件,请参考SSM2141。 方...

  和特点 接收器输入引脚提供±8 kV ESD IEC 61000-4-2接触放电保护 转换速率:400 Mbps (200 MHz) 通道间偏斜:100 ps(典型值) 差分偏斜:100 ps(典型值) 传播延迟:3.3 ns(最大值) 3.3 V 电源 关断时为高阻抗输出 欲了解更多特性,请参考数据手册。产品详情 ADN4666是一款四通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线 MHz)以上的数据速率,功耗超低。     该器件接受低压(典型值350 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/ CMOS逻辑电平。       ADN4666还提供高电平有效和低电平有效使能/禁用输入(EN和EN),用来控制所有四个接收器。这些输入可禁用接收器,将输出切换至高阻抗状态。因此,一个或多个ADN4666器件的输出可以多路复用,将静态功耗降至典型值10 mW。    ADN4666及其配套驱动器ADN4665为高速点对点数据传输提供一种新的解决方案,可以代替射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。   应用点对点数据传输多分支总线时钟分配网络背板接收器 方框图...

  TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

  TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

  这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

  LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号

  严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...


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